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美光开始量产16Gb 1z nm DDR4内存,功耗降低40%
作者: 发布日期:2019-08-21

原标题:美光开始量产16Gb 1z nm DDR4内存,功耗降低40%

IT之家8月17日消息 根据TPU的报道,美光已经开始量产1z nm(12nm到14nm)的16Gb DDR4,密度更高,功耗降低了40%。

据介绍,与前一代1Y工艺相比,1z nm工艺的16Gb DDR4产品具有更高的比特密度,性能略有提高,成本也更低。与前几代8Gb DDR4 RAM解决方案相比,新节点还使功耗降低了40%。

美光还宣布,它已经开始批量出货业界容量最大的单片16Gb低功耗 LPDDR4X DRAM,1z nm LPDDR4X和uMCP4产品主要针对智能手机。

美光在DRAM市场的主要竞争对手三星(Samsung)去年春季宣布,将在今年下半年开始生产1z nm 8Gb DDR4模块,为下一代DDR5、LPDDR5和GDDR6内存产品的推出做准备。



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